Replacing 6T SRAMs with 3T1D DRAMs in the l1 data cache to combat process variability. - Liang, Xiaoyao; Brooks, David; Canal, Ramon; Wei, Gu-Yeon
Sala de Colecciones abiertas
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ELEC
COMP
R12680
Keywords: Dispositivos de almacenamiento; Circuitos integrados; Transistores; Diodos; Memoria caché; Artículos de revista