La tecnología basada en GaN multi-MHz sube el listón de la densidad. - Briere, Michael A.
Sala de Colecciones abiertas
Español
R14459
CYTE
Keywords: Mosfet; Mosfet de potencia; Dispositivos basados en GaN-on-si; Transistores; Conversión de potencia de alta frecuencia; Conversión de potencia de alta densidad; Conversión de potencia de alta eficiencia; Artículos de revista