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LEADER |
01987nam a2200289 4500 |
001 |
BFMO50002851 |
003 |
SV-SsUSB |
005 |
20130925111533.0 |
008 |
070911s1973 ag a g b 001 0 spa d |
040 |
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|a Sistema Bibliotecario Universidad de El Salvador
|b spa
|c SV-SsUSB
|
041 |
1 |
|
|a spa
|h eng
|
082 |
0 |
4 |
|a 621.381528
|b R532t
|2 21
|
100 |
1 |
|
|a Richman, Paul
|
240 |
1 |
0 |
|a Characteristics and operation of mos field devices.
|l Español
|
245 |
1 |
0 |
|a Transistores de efecto de campo :
|b a metal y óxido /
|c Paul Richman ; versión castellana por Emilio N. Packmann.
|
260 |
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|a Buenos Aires, Argentina :
|b Hasa,
|c 1973
|
300 |
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|
|a 142 p. :
|b il.;
|c 23 cm.
|
500 |
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|a Traducido de Characteristics and operation of mos field devices.
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505 |
0 |
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|a Prefacio -- 1. Introdcucción -- 2. Principios físicos básicos del efecto de campo -- 3. La teoría del funcionamiento del transistor a semiconductor de metal y óxido por efecto de campo -- 4. Los tres modos de funcionamiento del transistor a semiconductor de matal a óxido por efecto de campo -- 5. El estado de la tecnología de semiconductores a metal y óxido -- 6. Transistores a semiconductores de metal y óxido por efecto de campo y sus características eléctricas parámetros de circuito y aplicaciones -- 7. Aplicaciones digitales de los transistores a semiconductores de matal y óxido Apéndices.
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650 |
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7 |
|a Conductividad eléctrica.
|2 lemb
|
650 |
|
7 |
|a Semiconductores de metal-óxido complementarios.
|2 lemb
|
650 |
|
7 |
|a Transistores de efecto de campo metal-óxido semiconductores.
|2 lemb
|
700 |
1 |
|
|a Packmann, Emilio N.
|
942 |
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|2 ddc
|c BK
|
999 |
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|c 2473
|d 2473
|
952 |
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|0 0
|1 0
|2 ddc
|4 0
|6 621_381528000000000_R532T
|7 0
|8 CG
|9 4597
|a 50
|b 50
|c GN
|d 2012-12-07
|i 50002851
|o 621.381528 R532t
|p 50002851
|r 2019-05-13
|w 2012-12-07
|y BK
|
952 |
|
|
|0 0
|1 0
|2 ddc
|4 0
|6 621_381528000000000_R532T
|7 0
|8 CG
|9 4598
|a 50
|b 50
|c GN
|d 2007-05-03
|i 50011937
|o 621.381528 R532t
|p 50011937
|r 2019-05-13
|w 2012-12-07
|y BK
|x Donado por Ethelvina de Escobar.
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