Dispositivos de efecto de campo - Pierret, Robert F.; Fabian-Frankel, Bartolome (Estados Unidos : Addison Wesley Iberoamericana, 1994)
Al principio del libro contiene una introducción general, y al final de el se incluye un capítulo nuevo que trata sobre estructuras FET modernas. Entre ambas partes se efectuó un reordenaniento significativo del temario. Los capítulos 2 y 3 de la primera edición estaban dedicados a los dispositivos estáticos ideales y a las características C-V, respectivamente, mientras que ahora se unificaron y simplificaron en un capítulo denominado "Fundamentos de los MOS". Las tres más complejas de ambos capítulos -la electrostática precisa y el análisis de C-V correspondiente- se colocaron los apéndices B y C en las segunda edición. Se ha reubicado también la mayor porción del capítulo sobre MOSFET, antes de tratar las no idealidades. En combinación con modificaciones para asegurar el capítulo 1 (j jef y MESFET) y el capítulo (MOS no ideal), se puede omitir sin sufrir la pérdida de continuidad; esta reestruración permite diversas opciones viables de presentación del material. Específicamente, la introducción general, más los capítulos 2, 3 y 5, brindan una introducción coherente a los dispositivos de efecto de campo. El capítulo 4 incrementa decididamente el nivel y extensión de la presentación. Se logra aún mayor complejidad si se incorpora el material de los apéndices b a d.
1. J-FET y MESFET. -- 2. Fundamentos de los MOS. -- 2.1 Definición de la estructura ideal. -- 2.2 Electrostática, básicamente cualitativa. -- 2.3 Electrostática: formulación cuantitativa. -- 2.4 Característica capacidad-voltaje. -- 3. MOSFET introducción. -- 4. El MOS no ideal. -- 4.1 Diferencia de función trabajo metal-semiconductor. -- 4.2 Cargas en el óxido. -- 4.3 MOSFET: Consideraciones sobre el voltaje umbral. -- 5. Estructuras FET modernas.
Proyecto Ayuda a Bibliotecas 2000.
Proyecto Ayuda a Bibliotecas 2001.
Keywords: Transistores de efecto de campo; Ingeniería eléctrica