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| LEADER |
01816na a2200289 4500 |
| 003 |
SV-SsUSB |
| 008 |
050201s1973////mx odlag||||||||1|||spa|d |
| 040 |
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|a Sistema Bibliotecario Universidad de El Salvador
|b spa
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| 041 |
0 |
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|a spa
|h eng
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| 082 |
0 |
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|a 621.38151
|b R532t
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| 100 |
1 |
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|a Richman, Paul
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| 245 |
0 |
0 |
|a Transistores de Efecto de Campo :
|b A metal y oxido /
|c Por Paul Richman ; Version Castellana por Emilio N. Packmann.
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| 250 |
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|a 1a ed.
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| 260 |
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|a Buenos Aires, Argentina :
|b Hispano Américana,
|c 1973
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| 300 |
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|a 142 p. ;
|b ils. fig., graficas, ;
|c 22.8 cms.
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| 500 |
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|a Titulo Original de la obra en inglés: "Characteristics and Operation Of Mos Field Effect Devices"
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| 504 |
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|a Comp. : Indice,Apéndices
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| 505 |
0 |
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|a La Teoria del funcionamiento del transistor o semiconductor de metal y oxido por efecto de campo -- Los Tres modos de funcionamiento del transistor a semiconductor de metal y oxido por efecto de campo -- El Estado de la tecnologia de semiconductores a metal y oxido -- Transistores a semiconductor de metal y oxido por efecto de campo y sus caracteristicas eléctricas -- Parametros de circuitos y aplicaciones -- Aplicaciones digitales de los transistores a semiconductores de metal y oxido.
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| 592 |
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|a Centro Regional De Ayuda Técnica
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| 650 |
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7 |
|a Transistores
|2 lemb
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| 650 |
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7 |
|a Metal
|2 lemb
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| 650 |
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7 |
|a Oxido
|2 lemb
|
| 650 |
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7 |
|a Semiconductor
|2 lemb
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| 942 |
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|c BK
|8 ddc
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| 999 |
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|c 143207
|d 143207
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| 952 |
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|0 0
|1 0
|4 0
|6 621_381528000000000_R532T
|7 0
|8 CG
|9 258062
|a 30
|b 30
|c GN
|d 1969-12-31
|e | A.I.D.
|h 1973 1a ed.
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|o 621.381528 R532t
|p 30006385
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| 952 |
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|1 0
|4 0
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|7 0
|8 CG
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|a 30
|b 30
|c GN
|d 1969-12-31
|e | A.I.D.
|h 1973 1a ed.
|i 30006386
|o 621.381528 R532t
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|r 2013-02-14
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|y BK
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