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| LEADER |
02884nam a22003617i 4500 |
| 007 |
ta |
| 008 |
131204b2009 mx ||||g |||| 00| 0 spa d |
| 020 |
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|a 9786074422924
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| 037 |
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|b Pearson educación ; Atlacomulco 500-50. piso Col. Industrial Atoto 53519, Naucalpan de Juárez, estado de méxico ; web www.pearsoneducacion.net
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| 040 |
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|a Sistema Bibliotecario Universidad de El Salvador
|b spa
|e rda
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| 082 |
0 |
4 |
|2 21
|a 621.381
|b B695e
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| 100 |
1 |
0 |
|a Boylestad, Robert L.
|e autor
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Electrónica :
|b teoría de circuitos y dispositivos electrónicos /
|c Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky ; traductor Rodolfo Navarro Salas
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| 250 |
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|a Décima edición
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| 264 |
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|a México ;
|b Pearson educación ,
|c 2009,©2009
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| 300 |
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|a 894 páginas :
|b ilustraciones ;
|c 27 cm
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| 336 |
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|2 rdacontent
|a texto
|b txt
|
| 337 |
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|2 rdamedia
|a no mediado
|b n
|
| 338 |
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|2 rdacarrier
|a volumen
|b nc
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| 504 |
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|a Incluye bibliografía
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| 505 |
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|a Diodos semiconductores -- Aplicaciones del diodo -- Transistores de unión bipolar -- Polarización de cd de los BJT -- Análisis de ca de un BJT -- Transistores de efecto de campo -- Polarización de los FET-- Ampliación con FET -- Respuesta en frecuencia de los BJT Y LOS JFET -- Amplificadores operacionales...
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| 520 |
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|a En esta edición se desarrollaron listas de objetivos para el material incluido en cada capítulo; además, al final de cada uno de ellos se incluye una lista de conclusiones, conceptos y ecuaciones importantes. Estos tres elementos resumen el material para una revisión y aplicación futuras. Se agregó una tabla de resumen al capítulo 4 de polarización de cd de los BJT, en concordancia con las provistas para el análisis de ca de los BJT y la investigación de ca y cd de los FET. Por otra parte, se utiliza el modelo re del transistor BJT en las primeras secciones de cada capítulo dedicadas al tema, relegando el modelo de parámetro híbrido a secciones posteriores, como si fuera una entidad aparte. De esta manera se puede analizar el material por separado sin afectar el flujo general del que utiliza el modelo re. El nivel de detalle provisto para el modelo de parámetros híbridos sigue siendo casi el mismo, aunque ahora aparece más adelante en el capítulo.
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| 521 |
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|a Audiencia general
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| 650 |
0 |
7 |
|2 lemb
|a Electrónica
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| 650 |
0 |
7 |
|2 lemb
|a Circuitos electrónicos
|
| 650 |
0 |
7 |
|2 lemb
|a Semiconductores
|
| 700 |
1 |
|
|a Nashelsky, Louis
|e autor
|
| 700 |
1 |
|
|a Navarro Salas, Rodolfo
|e traductor
|
| 700 |
1 |
|
|a Boylestad, Robert L.
|i traducción de:
|t Electronic devices and circuit theory.
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| 942 |
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|2 ddc
|c BK
|
| 990 |
|
|
|a bc-montano
|
| 999 |
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|c 34850
|d 34850
|
| 952 |
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|0 0
|1 0
|2 ddc
|4 0
|6 621_381000000000000_B695E
|7 0
|8 RVA
|9 50415
|a 10
|b 10
|c RVA
|d 2013-12-11
|e prolibros
|g 25.74
|i 65436
|l 4
|m 1
|o 621.381 B695e
|p 10048635
|r 2019-09-03
|s 2019-08-28
|w 2013-12-04
|y RVA
|k 2671-2689, 13/12/2011, 2901-2906, 26/01/2012
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