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| LEADER |
01422nam a2200265 a 4500 |
| 008 |
050201s1973||||mx a |||||||||||||spa|| |
| 942 |
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|c BK
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| 041 |
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|a spa
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| 082 |
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|a 621.381528
|b R352
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| 100 |
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|a Richman, Paul
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| 245 |
0 |
0 |
|a Transistores de Efecto de Campo, a Metal y àxido /
|c Paul Richman.
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| 260 |
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|a México :
|b Centro Regional de Ayuda Técnica,
|c 1973
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| 300 |
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|a 142 p. ;
|b il.
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| 650 |
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|a TRANSISTORES
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| 650 |
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|a SEMICONDUCTORES
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| 592 |
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|a Introducción
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| 592 |
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|a Principios Físicos Básicos del Effecto de Campo
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| 592 |
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|
|a Teoría del Funcionamiento del Transistor a Semiconductor de Metal y àxido por Efecto de Campo
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| 592 |
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|a Tres Métodos de Funcionamiento del Transistor a Semiconductor de Metal y àxido por Efecto de Campo
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| 592 |
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|a Estado de la Tecnología de Semiconductores a Metal y àxido
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| 592 |
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|a Transistores a Semiconductor de Metal y àxido por Efecto de campo y sus Características Eléctricas. Parámetros de Circuitos y Aplicaciones
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| 592 |
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|a Aplicaciones Digitales de los transistores a Semiconductor de Metal y àxido
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| 999 |
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|c 94034
|d 94034
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| 952 |
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|0 0
|1 0
|4 0
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|7 0
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|b 15
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| 952 |
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|r 2012-08-15
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|w 2012-08-15
|y BK
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