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| LEADER |
03270nam a2200277 i 4500 |
| 003 |
PA-PaUTB |
| 008 |
220712s1993 pn ade|f p||| 00| | spa d |
| 020 |
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|a 0-201-60142-7
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| 040 |
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|a Sistema de Bibliotecas de la Universidad Tecnológica de Panamá
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| 245 |
1 |
0 |
|a El diodo PN de unión /
|c Gerold W. Neudeck.
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| 264 |
3 |
1 |
|a Estados Unidos :
|b Addison-Wesley Iberoamérica,
|c 1993
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| 300 |
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|a 187 páginas
|b ilustraciones, gráficas, planos ;
|c 23 cm
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| 336 |
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|2 rdacontent
|a texto
|b tx
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| 505 |
0 |
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|a 1. Introducción al diodo. -- 2. Estática de la unión P-N. -- 3. Características volt-ampere del diodo ideal. -- 4. Desviaciones respecto al diodo ideal. -- 5. Admitancia de la unión P-N. -- 6. Respuesta a la conmutación. -- 7. Contactos metal-semiconductor.
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| 520 |
3 |
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|a En este libro se pone énfasis en el desarrollo de una comprensión fundamental sobre el funcionamiento interno de la mayoría de las estructuras básicas de los dispositivos en estado sólido. en el capítulo 1 se expone la forma de cómo se puede fabricar un diodo de unión p-n por difusión, aleación o implantación iónica de impurezas en un sustrato. Los diodos del tipo de aleación o epitaxial son buenos ejemplos. En el capítulo 2 se estudia la región de vaciamiento de la unión p-n escalón. En el capítulo 3 se trata sobre el equilibrio térmico y el diagrama de bandas de energía sirvieron como punto de inicio del flujo de portadores por difusión y desplazamiento. En el capítulo 4 se analizan las desviaciones en corrientes y voltaje de un diodo físico, respecto a las de un diodo ideal con polarización inversa y luego con polarización directa. El capítulo 5 se refiere a la admintancia para el diodo de unión en polarización inversa considerando una pequeña señal. El capítulo 6 Se analiza la respuesta de la unión p-n ante señales escalón de gran amplitud, en función de las respuestas transitorias de desconexión y de conexión. El interés original por los transitorios en diodos fue motivado por el deseo de hacer mínimo tiempo de recuperación a inversa y, por ende, reducir el tiempo de conmutación de los circuitos lógicos con diodos. El capítulo 7 describe cómo el contacto entre un metal y un semiconductor puede dar lugar a un diodo de barrera Schottky ideal, o a un contacto óhmico. Los contactos óhmicos están formados por metal y semiconductores dopados degenerativamente.
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| 541 |
1 |
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|a Proyecto de Ayuda a Bibliotecas 2000.
|c C
|d Recibido: 2001/02/21.
|e 127482.
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| 541 |
1 |
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|a Proyecto de Ayuda a Bibliotecas 2001.
|c C
|d Recibido: 2002/02/20.
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| 541 |
1 |
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|a Proyecto de Ayuda a Bibliotecas 2001.
|c C
|d Recibido: 2002/02/20.
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| 900 |
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|a BUT-CO
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| 942 |
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|c LIBRO
|n 1
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| 946 |
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|a 37948
|b Donata Gómez
|c 37948
|d Donata Gómez
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| 999 |
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|c 127482
|d 127482
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| 952 |
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|0 0
|1 0
|2 ddc
|4 0
|7 3
|8 GEN
|9 158883
|a BUT-CO
|b BUT-CO
|d 2001-02-21
|l 0
|p 200113710
|r 2022-07-04
|t e.1
|w 2022-07-04
|y LIBRO
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| 952 |
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|0 0
|1 0
|2 ddc
|4 0
|7 3
|8 GEN
|9 158884
|a BUT-CO
|b BUT-CO
|d 2002-02-21
|l 0
|p 200113711
|r 2022-07-04
|t e.2
|w 2022-07-04
|y LIBRO
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| 952 |
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|0 0
|1 0
|2 ddc
|4 0
|7 3
|8 GEN
|9 158885
|a BUT-CO
|b BUT-CO
|d 2002-02-21
|l 0
|p 200113712
|r 2022-07-04
|t e.3
|w 2022-07-04
|y LIBRO
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| 952 |
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|0 0
|1 0
|2 ddc
|4 0
|7 3
|8 GEN
|9 178565
|a BUT-AZ
|b BUT-AZ
|d 2023-11-20
|e D
|g 50.00
|l 0
|p 700113876
|r 2023-11-20
|t e.1
|w 2023-11-20
|y LIBRO
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