MOS and special-purpose bipolar integrated circuits and R-F power transistor circuit design /

Detalles Bibliográficos
Otros Autores: Norris, Bryan (Editor )
Formato: Libro
Lenguaje:English
Publicado: New York, Estados Unidos de América : McGraw Hill, 1976.
Materias:
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040 |a Sistema de Bibliotecas del TEC 
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245 0 0 |a MOS and special-purpose bipolar integrated circuits and R-F power transistor circuit design /  |c Editor Bryan Norris. 
260 |a New York, Estados Unidos de América :  |b McGraw Hill,  |c 1976. 
300 |a 228 páginas. :  |b ilustraciones, fotografías. 
336 |a texto  |b txt  |2 rdacontenido 
337 |a no mediado  |b n  |2 rdamedio 
338 |a volumen  |b nc  |2 rdaportador 
500 |a Incluye índice 
590 |a ELEC 
650 1 7 |a Circuitos integrados  |2 Tesauro SIBITEC 
650 1 7 |a Semiconductores  |2 Tesauro SIBITEC 
650 1 7 |a Voltaje  |2 Tesauro SIBITEC 
650 1 7 |a Procesadores  |2 Tesauro SIBITEC 
650 1 7 |a Control eléctrico  |2 Tesauro SIBITEC 
650 1 7 |a Microprocesadores  |2 Tesauro SIBITEC 
650 1 7 |a Memoria  |2 Tesauro SIBITEC 
650 1 7 |a Tecnología bipolar  |2 Tesauro SIBITEC 
655 4 |a Libros 
700 1 |a Norris, Bryan,  |e editor 
902 |a autecnica  |b 2018/04/03