Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors /

Detalles Bibliográficos
Autor principal: Chaudhry, Amit. (Autor)
Autor Corporativo: SpringerLink (Online service)
Formato: eBook
Lenguaje:English
Publicado: New York, NY : Springer New York : Imprint: Springer, 2013.
Edición:1st ed. 2013.
Materias:
LEADER 01660nam a22003975i 4500
001 000281942
005 20210429153925.0
007 cr nn 008mamaa
008 130423s2013 xxu| s |||| 0|eng d
020 |a 9781461468226 
024 7 |a 10.1007/978-1-4614-6822-6  |2 doi 
040 |a Sistema de Bibliotecas del Tecnológico de Costa Rica 
100 1 |a Chaudhry, Amit.  |e author. 
245 1 0 |a Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors /  |c by Amit Chaudhry. 
250 |a 1st ed. 2013. 
260 # # |a New York, NY :  |b Springer New York :  |b Imprint: Springer,  |c 2013. 
300 |a XIV, 201 p. 121 illus., 102 illus. in color. :  |b online resource. 
336 |a text  |b txt  |2 rdacontent 
337 |a computer  |b c  |2 rdamedia 
338 |a online resource  |b cr  |2 rdacarrier 
505 0 |a Scaling of a MOS Transistor -- Nanoscale Effects- Gate Oxide Leakage Currents -- Nanoscale Effects- Inversion Layer Quantization -- Dielectrics for Nanoelectronics -- Germanium Technology -- Biaxial s-Si Technology -- Uniaxial s-Si Technology -- Alternate MOS Structures -- Graphene Technology. 
650 0 |a Electronics. 
650 0 |a Microelectronics. 
650 0 |a Electronic circuits. 
650 0 |a Nanoscale science. 
650 0 |a Nanoscience. 
650 0 |a Nanostructures. 
650 0 |a Optical materials. 
650 0 |a Electronic materials. 
650 1 4 |a Electronics and Microelectronics, Instrumentation. 
650 2 4 |a Electronic Circuits and Devices. 
650 2 4 |a Circuits and Systems. 
650 2 4 |a Nanoscale Science and Technology. 
650 2 4 |a Optical and Electronic Materials. 
710 2 |a SpringerLink (Online service) 
773 0 |t Springer eBooks