Transistores de efecto de campo : a metal y óxido /

Detalles Bibliográficos
Autor principal: Richman, Paul
Otros Autores: Packmann, Emilio N.
Formato: Libro
Lenguaje:Spanish
English
Publicado: Buenos Aires, Argentina : Hasa, 1973
Materias:
Tabla de Contenidos:
  • Prefacio
  • 1. Introdcucción
  • 2. Principios físicos básicos del efecto de campo
  • 3. La teoría del funcionamiento del transistor a semiconductor de metal y óxido por efecto de campo
  • 4. Los tres modos de funcionamiento del transistor a semiconductor de matal a óxido por efecto de campo
  • 5. El estado de la tecnología de semiconductores a metal y óxido
  • 6. Transistores a semiconductores de metal y óxido por efecto de campo y sus características eléctricas parámetros de circuito y aplicaciones
  • 7. Aplicaciones digitales de los transistores a semiconductores de matal y óxido Apéndices.