La tecnología basada en GaN multi-MHz sube el listón de la densidad.

Detalles Bibliográficos
Autor principal:	Briere, Michael A.
Formato:	Artículo
Lenguaje:	Spanish
Materias:	Mosfet Mosfet de potencia Dispositivos basados en GaN-on-si Transistores Conversión de potencia de alta frecuencia Conversión de potencia de alta densidad Conversión de potencia de alta eficiencia Artículos de revista

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