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LEADER |
00889nab a2200265 a 4500 |
001 |
000106274 |
005 |
20160811135816.0 |
008 |
100909s mx 000 0 spa d |
040 |
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|a Sistema de Bibliotecas del Tecnológico de Costa Rica
|
100 |
1 |
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|a Briere, Michael A.
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245 |
1 |
3 |
|a La tecnología basada en GaN multi-MHz sube el listón de la densidad.
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535 |
1 |
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|a Sala de Colecciones abiertas
|
546 |
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|a Español
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590 |
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|a R14459
|
590 |
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|
|a CYTE
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650 |
1 |
4 |
|a Mosfet
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650 |
1 |
4 |
|a Mosfet de potencia
|
650 |
1 |
4 |
|a Dispositivos basados en GaN-on-si
|
650 |
1 |
4 |
|a Transistores
|
650 |
1 |
4 |
|a Conversión de potencia de alta frecuencia
|
650 |
1 |
4 |
|a Conversión de potencia de alta densidad
|
650 |
1 |
4 |
|a Conversión de potencia de alta eficiencia
|
655 |
|
4 |
|a Artículos de revista
|
773 |
1 |
|
|t MUNDO ELECTRONICO.
|g Número 407 (abril, 2009), páginas 34-36
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905 |
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|
|a BJFF_ANA
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