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| LEADER |
00889nab a2200265 a 4500 |
| 001 |
000106274 |
| 005 |
20160811135816.0 |
| 008 |
100909s mx 000 0 spa d |
| 040 |
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|
|a Sistema de Bibliotecas del Tecnológico de Costa Rica
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| 100 |
1 |
|
|a Briere, Michael A.
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| 245 |
1 |
3 |
|a La tecnología basada en GaN multi-MHz sube el listón de la densidad.
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| 535 |
1 |
|
|a Sala de Colecciones abiertas
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| 546 |
|
|
|a Español
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| 590 |
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|
|a R14459
|
| 590 |
|
|
|a CYTE
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| 650 |
1 |
4 |
|a Mosfet
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| 650 |
1 |
4 |
|a Mosfet de potencia
|
| 650 |
1 |
4 |
|a Dispositivos basados en GaN-on-si
|
| 650 |
1 |
4 |
|a Transistores
|
| 650 |
1 |
4 |
|a Conversión de potencia de alta frecuencia
|
| 650 |
1 |
4 |
|a Conversión de potencia de alta densidad
|
| 650 |
1 |
4 |
|a Conversión de potencia de alta eficiencia
|
| 655 |
|
4 |
|a Artículos de revista
|
| 773 |
1 |
|
|t MUNDO ELECTRONICO.
|g Número 407 (abril, 2009), páginas 34-36
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| 905 |
|
|
|a BJFF_ANA
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