| Sumario: | Al principio del libro contiene una introducción general, y al final de el se incluye un capítulo nuevo que trata sobre estructuras FET modernas. Entre ambas partes se efectuó un reordenaniento significativo del temario. Los capítulos 2 y 3 de la primera edición estaban dedicados a los dispositivos estáticos ideales y a las características C-V, respectivamente, mientras que ahora se unificaron y simplificaron en un capítulo denominado "Fundamentos de los MOS". Las tres más complejas de ambos capítulos -la electrostática precisa y el análisis de C-V correspondiente- se colocaron los apéndices B y C en las segunda edición. Se ha reubicado también la mayor porción del capítulo sobre MOSFET, antes de tratar las no idealidades. En combinación con modificaciones para asegurar el capítulo 1 (j jef y MESFET) y el capítulo (MOS no ideal), se puede omitir sin sufrir la pérdida de continuidad; esta reestruración permite diversas opciones viables de presentación del material. Específicamente, la introducción general, más los capítulos 2, 3 y 5, brindan una introducción coherente a los dispositivos de efecto de campo. El capítulo 4 incrementa decididamente el nivel y extensión de la presentación. Se logra aún mayor complejidad si se incorpora el material de los apéndices b a d.
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