Dispositivos de efecto de campo /

Dispositivos de efecto de campo /

Al principio del libro contiene una introducción general, y al final de el se incluye un capítulo nuevo que trata sobre estructuras FET modernas. Entre ambas partes se efectuó un reordenaniento significativo del temario. Los capítulos 2 y 3 de la primera edición estaban dedicados a los disposi...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor principal: Pierret, Robert F. (autor)
Otros Autores: Fabian-Frankel, Bartolome (autor)
Formato: Libro
Lenguaje:Spanish
English
Publicado: Estados Unidos : Addison Wesley Iberoamericana, 1994
Colección:Temas selectos de ingeniería
Materias:
Transistores de efecto de campo
Ingeniería eléctrica
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245 1 0 |a Dispositivos de efecto de campo /  |c Robert F. Pierret ; versión en Español de Bartolomé Fabian-Fränkel. 
264 3 1 |a Estados Unidos :  |b Addison Wesley Iberoamericana,  |c 1994 
300 |a xii, 194 páginas :   |b ilustraciones, gráficas ;  |c 23 cm 
336 |2 rdacontent  |a texto  |b txt 
490 0 |a Temas selectos de ingeniería 
505 0 |a 1. J-FET y MESFET. -- 2. Fundamentos de los MOS. -- 2.1 Definición de la estructura ideal. -- 2.2 Electrostática, básicamente cualitativa. -- 2.3 Electrostática: formulación cuantitativa. -- 2.4 Característica capacidad-voltaje. -- 3. MOSFET introducción. -- 4. El MOS no ideal. -- 4.1 Diferencia de función trabajo metal-semiconductor. -- 4.2 Cargas en el óxido. -- 4.3 MOSFET: Consideraciones sobre el voltaje umbral. -- 5. Estructuras FET modernas.  
520 3 |a Al principio del libro contiene una introducción general, y al final de el se incluye un capítulo nuevo que trata sobre estructuras FET modernas. Entre ambas partes se efectuó un reordenaniento significativo del temario. Los capítulos 2 y 3 de la primera edición estaban dedicados a los dispositivos estáticos ideales y a las características C-V, respectivamente, mientras que ahora se unificaron y simplificaron en un capítulo denominado "Fundamentos de los MOS". Las tres más complejas de ambos capítulos -la electrostática precisa y el análisis de C-V correspondiente- se colocaron los apéndices B y C en las segunda edición. Se ha reubicado también la mayor porción del capítulo sobre MOSFET, antes de tratar las no idealidades. En combinación con modificaciones para asegurar el capítulo 1 (j jef y MESFET) y el capítulo (MOS no ideal), se puede omitir sin sufrir la pérdida de continuidad; esta reestruración permite diversas opciones viables de presentación del material. Específicamente, la introducción general, más los capítulos 2, 3 y 5, brindan una introducción coherente a los dispositivos de efecto de campo. El capítulo 4 incrementa decididamente el nivel y extensión de la presentación. Se logra aún mayor complejidad si se incorpora el material de los apéndices b a d.  
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541 1 |a Proyecto Ayuda a Bibliotecas 2001.   |c C  |d Recibido: 2002/02/20.  |h $50.00.  |e 127479. 
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