Dispositivos de efecto de campo /
Al principio del libro contiene una introducción general, y al final de el se incluye un capítulo nuevo que trata sobre estructuras FET modernas. Entre ambas partes se efectuó un reordenaniento significativo del temario. Los capítulos 2 y 3 de la primera edición estaban dedicados a los disposi...
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Libro |
| Lenguaje: | Spanish English |
| Publicado: |
Estados Unidos :
Addison Wesley Iberoamericana,
1994
|
| Colección: | Temas selectos de ingeniería
|
| Materias: |
Tabla de Contenidos:
- 1. J-FET y MESFET.
- 2. Fundamentos de los MOS.
- 2.1 Definición de la estructura ideal.
- 2.2 Electrostática, básicamente cualitativa.
- 2.3 Electrostática: formulación cuantitativa.
- 2.4 Característica capacidad-voltaje.
- 3. MOSFET introducción.
- 4. El MOS no ideal.
- 4.1 Diferencia de función trabajo metal-semiconductor.
- 4.2 Cargas en el óxido.
- 4.3 MOSFET: Consideraciones sobre el voltaje umbral.
- 5. Estructuras FET modernas.