Replacing 6T SRAMs with 3T1D DRAMs in the l1 data cache to combat process variability.
Autor principal: | |
---|---|
Otros Autores: | , , |
Formato: | Artículo |
Lenguaje: | Spanish |
Materias: |
LEADER | 00879nab a2200289 a 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | 000098760 | ||
005 | 20160406095206.0 | ||
008 | 090225s mx 000 0 spa d | ||
040 | |a Sistema de Bibliotecas del Tecnológico de Costa Rica | ||
100 | 1 | |a Liang, Xiaoyao | |
245 | 1 | 0 | |a Replacing 6T SRAMs with 3T1D DRAMs in the l1 data cache to combat process variability. |
535 | 1 | |a Sala de Colecciones abiertas | |
546 | |a Inglés | ||
590 | |a ELEC | ||
590 | |a COMP | ||
590 | |a R12680 | ||
650 | 1 | 4 | |a Dispositivos de almacenamiento |
650 | 1 | 4 | |a Circuitos integrados |
650 | 1 | 4 | |a Transistores |
650 | 1 | 4 | |a Diodos |
650 | 1 | 4 | |a Memoria caché |
655 | 4 | |a Artículos de revista | |
700 | 1 | |a Brooks, David | |
700 | 1 | |a Canal, Ramon | |
700 | 1 | |a Wei, Gu-Yeon | |
773 | 1 | |t IEEE. MICRO. |g Volumen 28, número 1 (January/February, 2008), páginas 60-68 | |
905 | |a BJFF_ANA |