Replacing 6T SRAMs with 3T1D DRAMs in the l1 data cache to combat process variability.
| Autor principal: | |
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| Otros Autores: | , , |
| Formato: | Artículo |
| Lenguaje: | Spanish |
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| 650 | 1 | 4 | |a Circuitos integrados |
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| 700 | 1 | |a Brooks, David | |
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| 773 | 1 | |t IEEE. MICRO. |g Volumen 28, número 1 (January/February, 2008), páginas 60-68 | |
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