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Replacing 6T SRAMs with 3T1D DRAMs in the l1 data cache to combat process variability.
Detalles Bibliográficos
Autor principal:
Liang, Xiaoyao
Otros Autores:
Brooks, David
,
Canal, Ramon
,
Wei, Gu-Yeon
Formato:
Artículo
Lenguaje:
Spanish
Materias:
Dispositivos de almacenamiento
Circuitos integrados
Transistores
Diodos
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Descripción
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