Nanometer Variation-Tolerant SRAM : Circuits and Statistical Design for Yield /

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Abu Rahma, Mohamed. (Autor), Anis, Mohab. (Autor)
Autor Corporativo: SpringerLink (Online service)
Formato: eBook
Lenguaje:English
Publicado: New York, NY : Springer New York : Imprint: Springer, 2013.
Edición:1st ed. 2013.
Materias:

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